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好运来娱乐场手机注册 DRAM市场回暖有望 但竞争将更加激烈 2020-01-11 15:11:05   阅读4867

好运来娱乐场手机注册 DRAM市场回暖有望 但竞争将更加激烈

好运来娱乐场手机注册,随着需求回暖及外部环境的变化,存储芯片或将迎来一定转机,但这并不意味着在行业内占据主导地位的韩系企业能够“高枕无忧”。

“至暗时刻”

24日,韩系芯片企业SK海力士发布第三季度财报,截至9月底的第三季度净利润为4954.8亿韩元,相较去年同期获得历史峰值的4.692万亿韩元,同比下降幅度接近九成,该公司第三季度的营业利润同比下降93%,至4730亿韩元,而该公司第三季度收入为6.839万亿韩元,同比下降40%。

另一家存储类芯片巨头三星电子早前披露的第三季度财报也显示,该公司第三季度的营业利润为7.7万亿韩元,同比下降56%,虽然三星方面并没有公布每个事业部门的具体营收情况,但韩国证券界分析认为,占据三星电子营收近七成的芯片事业部门(DS)的第三季度营收仍然出现下滑,成为影响三星电子整体营收的重要因素。

此外,围绕在韩日两国的贸易争端仍没有解决的迹象。据日媒报道,韩国国务总理李洛渊在访日期间,就贸易争端等问题与日本总理安倍进行磋商,但双方未能就解除贸易争端方面达成一致,而韩国企业在日方发布芯片材料“限售令”前,对于日方的三种化学材料的依赖度最高可达到九成以上:根据韩国贸易协会发行的报告显示,韩国半导体及显示器行业在这三类材料对日本的依赖度分别是91.9%,43.9%及93.7%,

这也意味着,曾经保持多年高度繁荣的存储类芯片市场,仍处在持续了近一年的陷入低迷的“至暗时刻”,但事情也正在出现转机。

转机逐步呈现

一方面,两家韩系芯片巨头的业绩虽然仍呈现下降趋势,但高于韩国券商的预期业绩。根据第一财经记者整合韩国十大券商的平均预期值,其对于SK海力士本季度的营业利润平均预测值为4180亿韩元,而对于三星电子的预测值则为7.1万亿韩元。

SK海力士在第二季度财报发布后宣布部分减产也引发积极效果,在本次财报发布会上,SK海力士副社长(副总裁)车振锡(音译)表示,由于来自智能手机制造商的需求量提高,目前DRAM的库存量正在逐步恢复至正常水平,此外受到中国生产商对于DRAM的需求量增高及库存量降低的预期,导致近期DRAM的订单量及出厂量有明显增加,同比增长达到23%。

在另一类存储芯片Nand Flash方面,车振锡解释道,虽然需求并未有明显的增加因素,导致其出厂量同比下降1%,但由于公司及时减少廉价产品的销售比重,并将公司的营销资源集中至高端产品,因此该类产品的平均销售单价(ASP)呈现环比上升的态势。

与此同时,呈现芯片市场的库存量也在产生变化。根据韩国KB证券参考市场调研机构TrendForce的数据发行的研报显示,目前DRAM及Nand Flash的库存量均出现下降的态势,并预计市场的平均库存量将从第三季度的10周及6周,至今年年底将分别缩小至5周及4周,回归至2019年以前的数值,而需求的来源也将不仅限于智能手机,而是手机、服务器及PC等多个层面的共同增长。

此外,该研报还预测,Nand Flash的单价将在第四季度回归正增长,增幅将达到同比4%左右;而DRAM单价也将在明年第一季度从20%至25%的跌幅转变为个位数百分比,并最快于明年第二季度重归正增长。

在受到日方贸易制裁措施影响的芯片材料方面,韩企的替代材料寻找工作也已经进入尾声。韩国半导体·液晶技术学会会长朴在根(音译)向第一财经记者透露,目前韩系芯片企业基本已经完成替代材料的可靠性测试,并获得了预想中的结果,目前已经开始在部分工程生产中使用韩国本土制造的氟化氢等材料,而虽然目前日方部分批准了向韩国芯片企业出口材料,但韩方还将明年年底前完成材料来源的多变化,保证能够在日本材料完全断供的背景下,照常完成一切正常生产。

此外,据业内人士向第一财经记者透露,SK海力士在中国无锡的工厂进口的,由多氟多提供的中国国产氟化氢已经完成了内部测试,符合使用条件,并正式投入生产工程。

车振锡还认为,因受到2020年各国政府与制造商开始大规模普及5G手机的预期,明年将迎来存储芯片的需求“小高峰”,并提出明年在全球市场可能售出2亿部5G智能手机的可能性,而今年该数值约为5000万部左右。

减产与创新并重

针对目前芯片需求上升的背景,韩国未来资产证券分析师金永健(音译)告诉第一财经记者,目前以中国制造商为代表的一些手机制造商,认为韩日贸易争端的长期化,韩系芯片巨头的减产预测,以及5G智能手机的面试,均会导致未来存储类芯片价格的上涨,此外此前备份库存也在逐步用尽,成为目前芯片需求量上涨的重要原因。

车振锡表示,将从即日起针对其主力产品之一的DRAM及NAND Flash进行减产,这也是SK海力士的前身现代海力士着手生产DRAM产品后,首次宣布针对主力产品进行减产,为此将位于韩国京畿道利川的M10工厂部分生产DRAM产品的生产线,逐步转换为CMOS图片传感器的生产线,并将部分20nm DRAM生产线进行改造升级至10nm 第二代DRAM生产线;三星方面也宣布选择发展非存储类半导体,并重点扶持非晶圆代工产业,以保证在2025年前实现超越台积电,成为全球第一大代工厂的目标。

另一方面,来自竞争公司镁光和台积电的压力,以及从自身的营收考虑,也使韩系芯片巨头着手争夺5G环境下的高端存储类芯片市场。

据台积电发布的财报显示,三季度合并营收为2930.45亿元,同比增长12.6%,净利润为1010.7亿元,同比增长13.5%。由此,台积电针对强劲的5G智能手机销售,制定了创纪录的2019年和2020年投资计划;镁光则在今年8月宣布着手量产1Znm制程的16Gb DDR4 DRAM,并开始向1Znm制程技术转型,大规模生产其16Gb的DDR4内存解决方案。

根据韩国半导体产业协会的一份内部调研报告中显示,若韩系芯片企业将目前产能的30%转为1Znm制程技术的DRAM产品,则DRAM产品线的平均ASP将相比现在提高20%,此外随着5G互联网的普及,所传输的数据量将呈现稽核式增长,因此更加高级别制程技术的存储芯片将成为必需品,而1Znm制程技术会成为韩国芯片巨头的重要转型机遇。

23日,三星电子在美国硅谷召开三星科技日活动,并首次对外公开于今年3月研制完成的第三代1Znm制程技术的DRAM产品,以及与之配套的512Gb DDR5 DRAM解决方案,此外还宣布在年底有望引进紫外光微影技术(EUV)。

三星电子DRAM研发室的一位研发人员向第一财经记者表示,针对目前市场上针对5G环境下的自动驾驶及人工智能应用方面的计算及存储需求,三星正在研发业内最高速度的DDR5 DRAM、LPDDR5及GDDR6等芯片产品,并与产业链企业展开广范围合作,提供符合企业及产品特点的定制化及稳定的芯片解决方案,以此作为三星芯片相比于竞争企业的差异点。

同一天,SK海力士宣布开发适用第三代1Znm的16Gb DDR4 DRAM,并有了新的进展,据SK海力士方面负责人透露,1znm生产效率比前一代高出27%,且使用过去没有加入的新原料,成功最大化DRAM的静电容量,而未来1znm制程将扩大应用在新一代移动DRAM‘LP DDR5’与高速DRAM“HBM3”上。

由此,未来资产证券也在研报中提及,SK海力士的营业利润将在第四季度起,时隔一年恢复至同比正增长,并预测第四季度的营业利润将达到4861亿韩元,同比增长3%;而针对三星电子,预测认为2020年的半导体事业部门的营业利润将为24.4万亿韩元,同比上涨15%,占据全公司营业利润同比增加额的91%。

金永健认为,对于芯片需求者来讲,各家芯片企业的减产效果将逐步呈现,由此存储芯片的价格已经触底,库存将在明年起呈现快速反弹的趋势,由此今年第四季度将成为即将大规模生产5G智能手机的手机生产者,以“低价”购入芯片的最后一轮机会,并预计到2020年下半年,1Znm制程DRAM的收益率会慢慢趋于稳定和成熟,由此芯片价格也将面临新一轮的震荡。

不过,也有业界人士认为,目前韩国的芯片产业仍有一定的脆弱性。韩国半导体产业协会常务副会长、芯片设备企业周星工程CEO黄喆周认为,韩国的半导体的生产设备及核心材料主要由美国、日本等发达国家所主导,导致虽然生产出芯片产品,但由于源头技术受制于外方,在成本控制力方面大打折扣,并提出有必要和中国企业加强合作关系,通过市场与技术间的创新结合,共同完成供应链的改变与升级。

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